本技術(shu)涉及單(dan)晶(jing)硅，尤其涉及一種降低單(dan)晶(jing)硅棒尾部裂(lie)紋(wen)的(de)沖擊截斷裝置。

背景技術：

1、直(zhi)拉法是一種晶體(ti)生(sheng)產方法，主要用(yong)于半導體(ti)、金屬、鹽、合成寶石等單(dan)晶材料(liao)，直(zhi)拉法通常應用(yong)于晶錠、晶棒、單(dan)晶硅的生(sheng)長。

2、在(zai)用(yong)直拉法制備單(dan)(dan)晶(jing)硅時(shi)，晶(jing)棒(bang)(bang)在(zai)收尾(wei)時(shi)由于(yu)存在(zai)拉料單(dan)(dan)晶(jing)。由于(yu)拉料單(dan)(dan)晶(jing)已無法正常使用(yong)，需與正常的(de)可使用(yong)晶(jing)棒(bang)(bang)部分分開(kai)。因此，需將晶(jing)棒(bang)(bang)升至(zhi)(zhi)副室(shi)上限位(wei)后，旋開(kai)副室(shi)將晶(jing)棒(bang)(bang)尾(wei)部降至(zhi)(zhi)收集車(che)內，敲掉尾(wei)部的(de)拉料單(dan)(dan)晶(jing)后放(fang)入取棒(bang)(bang)車(che)。

3、現有技術中，去除(chu)尾部拉料單晶(jing)的方法(fa)是拉晶(jing)員工(gong)使(shi)用長柄(bing)鎢錘進行人工(gong)敲擊，由于(yu)擊打過程中不能一(yi)擊掉落，需反(fan)復敲擊，但是反(fan)復敲擊過程中會(hui)對晶(jing)棒尾部造(zao)成內部隱裂，在(zai)晶(jing)棒截(jie)斷過程中無法(fa)一(yi)次識別隱裂長度，造(zao)成多次反(fan)切(qie)，成本(ben)增加(jia)及工(gong)時(shi)浪費(fei)。

技術實現思路

1、本實用新型提(ti)(ti)供一種降低(di)單晶(jing)硅尾(wei)(wei)(wei)部裂(lie)(lie)紋的沖擊截斷裝置，用以解決現有(you)技術中(zhong)(zhong)人(ren)工(gong)敲擊晶(jing)棒尾(wei)(wei)(wei)部，反復敲擊過程中(zhong)(zhong)會對晶(jing)棒尾(wei)(wei)(wei)部造(zao)成(cheng)內部隱(yin)裂(lie)(lie)，在晶(jing)棒截斷過程中(zhong)(zhong)無法一次(ci)識(shi)別隱(yin)裂(lie)(lie)長(chang)度，造(zao)成(cheng)多次(ci)反切，成(cheng)本增加(jia)及工(gong)時浪費的缺陷，實現一次(ci)沖擊完(wan)成(cheng)尾(wei)(wei)(wei)部拉料(liao)敲料(liao)工(gong)作(zuo)，避免反復擊打，減少(shao)隱(yin)裂(lie)(lie)，提(ti)(ti)高成(cheng)品(pin)率。

2、本實用新型提供一種降低單晶硅棒尾(wei)部裂紋的沖擊截斷裝置，包括：

3、棒(bang)料(liao)收集車體，具有車斗；

4、環板(ban)，設置(zhi)于(yu)所述(shu)棒(bang)料收集車體(ti)的頂部(bu)；

5、多個沖擊截斷機構，均勻設置于(yu)所述(shu)環板的側壁上，且所述(shu)沖擊截斷機構與晶棒尾部(bu)對準。

6、根據本實用新型提供的(de)一種(zhong)降低(di)單晶硅棒尾部裂紋的(de)沖(chong)擊截(jie)(jie)斷裝置，所述(shu)沖(chong)擊截(jie)(jie)斷機構(gou)包括四個，且每(mei)相鄰兩個所述(shu)沖(chong)擊截(jie)(jie)斷機構(gou)間隔90度。

7、根據(ju)本實用(yong)新型提(ti)供的一種(zhong)降低單晶硅棒尾(wei)部裂紋的沖擊截斷裝置，所述沖擊截斷機(ji)構包(bao)括(kuo)沖擊氣缸。

8、根據本實用新(xin)型(xing)提(ti)供的(de)一種降低單晶硅(gui)棒尾(wei)部裂紋的(de)沖擊(ji)截斷裝置，所(suo)述(shu)沖擊(ji)氣缸靠近所(suo)述(shu)晶棒尾(wei)部的(de)端部設置為錐形結構。

9、根據本實用新(xin)型提(ti)供的一種降(jiang)低單晶(jing)硅棒尾(wei)部裂紋(wen)的沖擊(ji)截(jie)斷裝置，還包括氣缸控(kong)制器，所(suo)述氣缸控(kong)制器與多(duo)個(ge)所(suo)述沖擊(ji)氣缸均連接。

10、根據本實用新型提供的(de)一(yi)種降低單晶硅(gui)棒(bang)尾(wei)部(bu)(bu)裂紋的(de)沖(chong)擊(ji)截斷(duan)裝置，四個所述沖(chong)擊(ji)氣缸形成的(de)圓環直徑(jing)較(jiao)所述晶棒(bang)尾(wei)部(bu)(bu)的(de)直徑(jing)大(da)于10mm。

11、根(gen)據本實(shi)用新型(xing)提供的一種(zhong)降(jiang)低單晶(jing)硅棒(bang)尾部裂紋的沖擊(ji)截斷裝置，還(huan)包括：

12、多(duo)個(ge)支撐桿(gan)，垂(chui)直水平面(mian)設(she)置，所述(shu)支撐桿(gan)的一(yi)端(duan)與所述(shu)棒料(liao)收集(ji)車(che)體(ti)連(lian)接(jie)，另一(yi)端(duan)與所述(shu)環板連(lian)接(jie)；且多(duo)個(ge)所述(shu)支撐桿(gan)均勻分布于所述(shu)棒料(liao)收集(ji)車(che)體(ti)的外(wai)側壁的頂部。

13、根據本(ben)實(shi)用(yong)新(xin)型(xing)提供(gong)的(de)一種降低(di)單(dan)晶(jing)硅(gui)棒尾部(bu)裂紋的(de)沖擊截斷裝置(zhi)，還包括：

14、多(duo)個距(ju)離檢(jian)測裝(zhuang)置(zhi)(zhi)，分(fen)別(bie)設置(zhi)(zhi)于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)環板(ban)的(de)內周側(ce)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)距(ju)離檢(jian)測裝(zhuang)置(zhi)(zhi)用于(yu)檢(jian)測所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)環板(ban)內周側(ce)與所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)晶棒(bang)之間的(de)距(ju)離。

15、根據本實(shi)用(yong)新型(xing)提供的一種降低(di)單晶硅(gui)棒尾(wei)部裂紋的沖擊截斷裝(zhuang)置，所述環(huan)板呈圓環(huan)型(xing)。

16、根(gen)據(ju)本實用新型提供(gong)的(de)一(yi)種降(jiang)低單晶硅(gui)棒(bang)尾部(bu)裂紋(wen)的(de)沖擊截斷裝置(zhi)(zhi)，所(suo)(suo)述棒(bang)料(liao)收集車(che)體的(de)側壁上(shang)開(kai)設(she)有出料(liao)口；所(suo)(suo)述棒(bang)料(liao)收集車(che)體的(de)底部(bu)設(she)置(zhi)(zhi)有萬(wan)向(xiang)輪組。

17、本實用新(xin)型(xing)提供的(de)(de)(de)(de)一(yi)種降低單(dan)晶(jing)硅棒(bang)尾(wei)(wei)部(bu)裂(lie)紋的(de)(de)(de)(de)沖擊截(jie)斷裝置，通過棒(bang)料(liao)收集車(che)體的(de)(de)(de)(de)車(che)斗收集敲擊下來的(de)(de)(de)(de)棒(bang)料(liao)；沖擊截(jie)斷機構均勻(yun)設置于環板的(de)(de)(de)(de)側壁(bi)上，且沖擊截(jie)斷機構與晶(jing)棒(bang)尾(wei)(wei)部(bu)對齊，多個(ge)沖擊截(jie)斷機構同(tong)時在晶(jing)棒(bang)尾(wei)(wei)部(bu)同(tong)一(yi)平面的(de)(de)(de)(de)不同(tong)部(bu)位進(jin)行沖擊，均自晶(jing)棒(bang)尾(wei)(wei)部(bu)的(de)(de)(de)(de)外周側向其中心處沖擊，實現一(yi)次沖擊即可完(wan)成尾(wei)(wei)部(bu)拉(la)料(liao)的(de)(de)(de)(de)敲料(liao)工作，能夠避免反(fan)復敲打，減少(shao)內(nei)部(bu)隱裂(lie)，提高(gao)成品率。

技術特征：

1.一種降(jiang)低(di)單(dan)晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷(duan)裝(zhuang)置(zhi)，其特征在于，包(bao)括：

2.根據權利要(yao)求(qiu)1所(suo)述的(de)降低(di)單(dan)晶硅(gui)棒尾部(bu)裂紋(wen)的(de)沖擊截斷裝(zhuang)置，其特征在于，所(suo)述沖擊截斷機構(3)包括四個，且(qie)每相鄰兩個所(suo)述沖擊截斷機構(3)間隔90度。

3.根(gen)據權利要求1所述的降低單晶硅棒尾部(bu)裂(lie)紋(wen)的沖(chong)(chong)擊截斷裝置，其特征(zheng)在于，所述沖(chong)(chong)擊截斷機構(3)包(bao)括沖(chong)(chong)擊氣缸。

4.根據權利要求3所述的降低單晶硅棒尾(wei)部(bu)裂紋的沖(chong)擊截斷裝置(zhi)，其特(te)征在于，所述沖(chong)擊氣缸靠近(jin)所述晶棒尾(wei)部(bu)的端部(bu)設(she)置(zhi)為(wei)錐(zhui)形結構(gou)。

5.根據權利要求3所(suo)述(shu)的(de)降低(di)單晶(jing)硅棒尾部裂紋(wen)的(de)沖(chong)擊截(jie)斷(duan)裝(zhuang)置，其特征在于，還包括氣(qi)缸(gang)控制(zhi)器，所(suo)述(shu)氣(qi)缸(gang)控制(zhi)器與(yu)多個(ge)所(suo)述(shu)沖(chong)擊氣(qi)缸(gang)均連(lian)接。

6.根據權(quan)利要(yao)求(qiu)3所述的(de)降(jiang)低(di)單晶(jing)(jing)硅棒尾部裂紋的(de)沖(chong)擊(ji)截斷裝置，其特征在于，四個所述沖(chong)擊(ji)氣缸形(xing)成的(de)圓環直徑(jing)較所述晶(jing)(jing)棒尾部的(de)直徑(jing)大(da)于10mm。

7.根(gen)據權利要求(qiu)1所(suo)述(shu)的降(jiang)低(di)單晶硅棒尾部裂(lie)紋的沖擊截斷裝置，其特征在于(yu)，還包括(kuo)：

8.根據權利要求1所述的降(jiang)低(di)單(dan)晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，其特征在于，還包括：

9.根據權利要求1所(suo)述的(de)(de)降低(di)單晶硅(gui)棒尾部裂紋的(de)(de)沖(chong)擊截斷裝置，其特征在于，所(suo)述環板(2)呈圓環型。

10.根(gen)據權利要求1所(suo)(suo)述(shu)的降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置(zhi)(zhi)，其(qi)特征在于，所(suo)(suo)述(shu)棒料(liao)收集車體(1)的側壁(bi)上(shang)開設有出(chu)料(liao)口(kou)(5)；所(suo)(suo)述(shu)棒料(liao)收集車體(1)的底部設置(zhi)(zhi)有萬向輪組(6)。

技術總結
本技術涉及單晶硅技術領域，提供一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，包括棒料收集車體，具有車斗；環板，設置于棒料收集車體的頂部；多個沖擊截斷機構，均勻設置于環板的側壁上，且沖擊截斷機構與晶棒尾部對齊。本技術提供的一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，通過棒料收集車體的車斗收集敲擊下來的棒料；沖擊截斷機構均勻設置于環板的側壁上，且沖擊截斷機構與晶棒尾部對齊，多個沖擊截斷機構同時在晶棒尾部同一平面的不同部位進行沖擊，均自晶棒尾部的外周側向其中心處沖擊，實現一次沖擊即可完成尾部拉料的敲料工作，能夠避免反復敲打，減少內部隱裂，提高成品率。

技術研發人員：于榮臻,王承芳
受保護的技術使用者：三一硅能（朔州）有限公司
技術研發日：20240102
技術公布日：2024/9/29